Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3315STRLPBF

IRF3315STRLPBF

MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
Číslo dílu
IRF3315STRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 94W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
82 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41611 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IRF3315STRLPBF
IRF3315STRLPBF Elektronické komponenty
IRF3315STRLPBF Odbyt
IRF3315STRLPBF Dodavatel
IRF3315STRLPBF Distributor
IRF3315STRLPBF Datová tabulka
IRF3315STRLPBF Fotky
IRF3315STRLPBF Cena
IRF3315STRLPBF Nabídka
IRF3315STRLPBF Nejnižší cena
IRF3315STRLPBF Vyhledávání
IRF3315STRLPBF Nákup
IRF3315STRLPBF Chip