Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3315PBF
MOSFET N-CH 150V 23A TO-220AB
Číslo dílu
IRF3315PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
94W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
70 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29191 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3315PBF
IRF3315PBF Elektronické komponenty
IRF3315PBF Odbyt
IRF3315PBF Dodavatel
IRF3315PBF Distributor
IRF3315PBF Datová tabulka
IRF3315PBF Fotky
IRF3315PBF Cena
IRF3315PBF Nabídka
IRF3315PBF Nejnižší cena
IRF3315PBF Vyhledávání
IRF3315PBF Nákup
IRF3315PBF Chip