Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3205STRRPBF
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Číslo dílu
IRF3205STRRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8 mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
146nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3247pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44107 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3205STRRPBF
IRF3205STRRPBF Elektronické komponenty
IRF3205STRRPBF Odbyt
IRF3205STRRPBF Dodavatel
IRF3205STRRPBF Distributor
IRF3205STRRPBF Datová tabulka
IRF3205STRRPBF Fotky
IRF3205STRRPBF Cena
IRF3205STRRPBF Nabídka
IRF3205STRRPBF Nejnižší cena
IRF3205STRRPBF Vyhledávání
IRF3205STRRPBF Nákup
IRF3205STRRPBF Chip