Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3205STRR
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Číslo dílu
IRF3205STRR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8 mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
146nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3247pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23822 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3205STRR
IRF3205STRR Elektronické komponenty
IRF3205STRR Odbyt
IRF3205STRR Dodavatel
IRF3205STRR Distributor
IRF3205STRR Datová tabulka
IRF3205STRR Fotky
IRF3205STRR Cena
IRF3205STRR Nabídka
IRF3205STRR Nejnižší cena
IRF3205STRR Vyhledávání
IRF3205STRR Nákup
IRF3205STRR Chip