Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3205LPBF
MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
Číslo dílu
IRF3205LPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8 mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
146nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3247pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22778 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3205LPBF
IRF3205LPBF Elektronické komponenty
IRF3205LPBF Odbyt
IRF3205LPBF Dodavatel
IRF3205LPBF Distributor
IRF3205LPBF Datová tabulka
IRF3205LPBF Fotky
IRF3205LPBF Cena
IRF3205LPBF Nabídka
IRF3205LPBF Nejnižší cena
IRF3205LPBF Vyhledávání
IRF3205LPBF Nákup
IRF3205LPBF Chip