Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF2907ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Číslo dílu
IRF2907ZSTRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
270nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32478 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF2907ZSTRLPBF
IRF2907ZSTRLPBF Elektronické komponenty
IRF2907ZSTRLPBF Odbyt
IRF2907ZSTRLPBF Dodavatel
IRF2907ZSTRLPBF Distributor
IRF2907ZSTRLPBF Datová tabulka
IRF2907ZSTRLPBF Fotky
IRF2907ZSTRLPBF Cena
IRF2907ZSTRLPBF Nabídka
IRF2907ZSTRLPBF Nejnižší cena
IRF2907ZSTRLPBF Vyhledávání
IRF2907ZSTRLPBF Nákup
IRF2907ZSTRLPBF Chip