Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF2907ZSPBF
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Číslo dílu
IRF2907ZSPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
270nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5632 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF2907ZSPBF
IRF2907ZSPBF Elektronické komponenty
IRF2907ZSPBF Odbyt
IRF2907ZSPBF Dodavatel
IRF2907ZSPBF Distributor
IRF2907ZSPBF Datová tabulka
IRF2907ZSPBF Fotky
IRF2907ZSPBF Cena
IRF2907ZSPBF Nabídka
IRF2907ZSPBF Nejnižší cena
IRF2907ZSPBF Vyhledávání
IRF2907ZSPBF Nákup
IRF2907ZSPBF Chip