Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF2907ZS-7PPBF
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK7
Číslo dílu
IRF2907ZS-7PPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK (7-Lead)
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.8 mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7580pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6123 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF2907ZS-7PPBF
IRF2907ZS-7PPBF Elektronické komponenty
IRF2907ZS-7PPBF Odbyt
IRF2907ZS-7PPBF Dodavatel
IRF2907ZS-7PPBF Distributor
IRF2907ZS-7PPBF Datová tabulka
IRF2907ZS-7PPBF Fotky
IRF2907ZS-7PPBF Cena
IRF2907ZS-7PPBF Nabídka
IRF2907ZS-7PPBF Nejnižší cena
IRF2907ZS-7PPBF Vyhledávání
IRF2907ZS-7PPBF Nákup
IRF2907ZS-7PPBF Chip