Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF2907ZPBF
MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
Číslo dílu
IRF2907ZPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
270nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39633 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF2907ZPBF
IRF2907ZPBF Elektronické komponenty
IRF2907ZPBF Odbyt
IRF2907ZPBF Dodavatel
IRF2907ZPBF Distributor
IRF2907ZPBF Datová tabulka
IRF2907ZPBF Fotky
IRF2907ZPBF Cena
IRF2907ZPBF Nabídka
IRF2907ZPBF Nejnižší cena
IRF2907ZPBF Vyhledávání
IRF2907ZPBF Nákup
IRF2907ZPBF Chip