Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF2903ZPBF
MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB
Číslo dílu
IRF2903ZPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
290W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.4 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6320pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38817 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF2903ZPBF
IRF2903ZPBF Elektronické komponenty
IRF2903ZPBF Odbyt
IRF2903ZPBF Dodavatel
IRF2903ZPBF Distributor
IRF2903ZPBF Datová tabulka
IRF2903ZPBF Fotky
IRF2903ZPBF Cena
IRF2903ZPBF Nabídka
IRF2903ZPBF Nejnižší cena
IRF2903ZPBF Vyhledávání
IRF2903ZPBF Nákup
IRF2903ZPBF Chip