IRF2807ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Číslo dílu
IRF2807ZSTRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
170W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.4 mOhm @ 53A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3270pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30666 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF2807ZSTRLPBF
IRF2807ZSTRLPBF Elektronické komponenty
IRF2807ZSTRLPBF Odbyt
IRF2807ZSTRLPBF Dodavatel
IRF2807ZSTRLPBF Distributor
IRF2807ZSTRLPBF Datová tabulka
IRF2807ZSTRLPBF Fotky
IRF2807ZSTRLPBF Cena
IRF2807ZSTRLPBF Nabídka
IRF2807ZSTRLPBF Nejnižší cena
IRF2807ZSTRLPBF Vyhledávání
IRF2807ZSTRLPBF Nákup
IRF2807ZSTRLPBF Chip