Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF2807ZPBF
MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
Číslo dílu
IRF2807ZPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
170W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.4 mOhm @ 53A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3270pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17076 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF2807ZPBF
IRF2807ZPBF Elektronické komponenty
IRF2807ZPBF Odbyt
IRF2807ZPBF Dodavatel
IRF2807ZPBF Distributor
IRF2807ZPBF Datová tabulka
IRF2807ZPBF Fotky
IRF2807ZPBF Cena
IRF2807ZPBF Nabídka
IRF2807ZPBF Nejnižší cena
IRF2807ZPBF Vyhledávání
IRF2807ZPBF Nákup
IRF2807ZPBF Chip