Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF2807S
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Číslo dílu
IRF2807S
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
230W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13 mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3820pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8885 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF2807S
IRF2807S Elektronické komponenty
IRF2807S Odbyt
IRF2807S Dodavatel
IRF2807S Distributor
IRF2807S Datová tabulka
IRF2807S Fotky
IRF2807S Cena
IRF2807S Nabídka
IRF2807S Nejnižší cena
IRF2807S Vyhledávání
IRF2807S Nákup
IRF2807S Chip