Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF2807L
MOSFET N-CH 75V 82A TO-262
Číslo dílu
IRF2807L
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
230W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13 mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3820pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50942 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF2807L
IRF2807L Elektronické komponenty
IRF2807L Odbyt
IRF2807L Dodavatel
IRF2807L Distributor
IRF2807L Datová tabulka
IRF2807L Fotky
IRF2807L Cena
IRF2807L Nabídka
IRF2807L Nejnižší cena
IRF2807L Vyhledávání
IRF2807L Nákup
IRF2807L Chip