Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF2805STRRPBF

IRF2805STRRPBF

MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
Číslo dílu
IRF2805STRRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
135A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.7 mOhm @ 104A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
230nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5110pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17136 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IRF2805STRRPBF
IRF2805STRRPBF Elektronické komponenty
IRF2805STRRPBF Odbyt
IRF2805STRRPBF Dodavatel
IRF2805STRRPBF Distributor
IRF2805STRRPBF Datová tabulka
IRF2805STRRPBF Fotky
IRF2805STRRPBF Cena
IRF2805STRRPBF Nabídka
IRF2805STRRPBF Nejnižší cena
IRF2805STRRPBF Vyhledávání
IRF2805STRRPBF Nákup
IRF2805STRRPBF Chip