IRF2805STRLPBF
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
Číslo dílu
IRF2805STRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
135A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.7 mOhm @ 104A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
230nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5110pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20083 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF2805STRLPBF
IRF2805STRLPBF Elektronické komponenty
IRF2805STRLPBF Odbyt
IRF2805STRLPBF Dodavatel
IRF2805STRLPBF Distributor
IRF2805STRLPBF Datová tabulka
IRF2805STRLPBF Fotky
IRF2805STRLPBF Cena
IRF2805STRLPBF Nabídka
IRF2805STRLPBF Nejnižší cena
IRF2805STRLPBF Vyhledávání
IRF2805STRLPBF Nákup
IRF2805STRLPBF Chip