Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF2805LPBF
MOSFET N-CH 55V 135A TO-262
Číslo dílu
IRF2805LPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
135A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.7 mOhm @ 104A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
230nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5110pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24539 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF2805LPBF
IRF2805LPBF Elektronické komponenty
IRF2805LPBF Odbyt
IRF2805LPBF Dodavatel
IRF2805LPBF Distributor
IRF2805LPBF Datová tabulka
IRF2805LPBF Fotky
IRF2805LPBF Cena
IRF2805LPBF Nabídka
IRF2805LPBF Nejnižší cena
IRF2805LPBF Vyhledávání
IRF2805LPBF Nákup
IRF2805LPBF Chip