Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF1902PBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF1902PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
85 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
310pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46401 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1902PBF
IRF1902PBF Elektronické komponenty
IRF1902PBF Odbyt
IRF1902PBF Dodavatel
IRF1902PBF Distributor
IRF1902PBF Datová tabulka
IRF1902PBF Fotky
IRF1902PBF Cena
IRF1902PBF Nabídka
IRF1902PBF Nejnižší cena
IRF1902PBF Vyhledávání
IRF1902PBF Nákup
IRF1902PBF Chip