Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF1503PBF
MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB
Číslo dílu
IRF1503PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
330W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.3 mOhm @ 140A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5730pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21480 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1503PBF
IRF1503PBF Elektronické komponenty
IRF1503PBF Odbyt
IRF1503PBF Dodavatel
IRF1503PBF Distributor
IRF1503PBF Datová tabulka
IRF1503PBF Fotky
IRF1503PBF Cena
IRF1503PBF Nabídka
IRF1503PBF Nejnižší cena
IRF1503PBF Vyhledávání
IRF1503PBF Nákup
IRF1503PBF Chip