Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF1405PBF
MOSFET N-CH 55V 169A TO-220AB
Číslo dílu
IRF1405PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
330W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
169A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.3 mOhm @ 101A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5480pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21369 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1405PBF
IRF1405PBF Elektronické komponenty
IRF1405PBF Odbyt
IRF1405PBF Dodavatel
IRF1405PBF Distributor
IRF1405PBF Datová tabulka
IRF1405PBF Fotky
IRF1405PBF Cena
IRF1405PBF Nabídka
IRF1405PBF Nejnižší cena
IRF1405PBF Vyhledávání
IRF1405PBF Nákup
IRF1405PBF Chip