Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF135S203
MOSFET NCH 135V 129A D2PAK
Číslo dílu
IRF135S203
Výrobce/značka
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
441W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
135V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
129A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.4 mOhm @ 77A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
270nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9700pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35360 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF135S203
IRF135S203 Elektronické komponenty
IRF135S203 Odbyt
IRF135S203 Dodavatel
IRF135S203 Distributor
IRF135S203 Datová tabulka
IRF135S203 Fotky
IRF135S203 Cena
IRF135S203 Nabídka
IRF135S203 Nejnižší cena
IRF135S203 Vyhledávání
IRF135S203 Nákup
IRF135S203 Chip