Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF1312PBF
MOSFET N-CH 80V 95A TO-220AB
Číslo dílu
IRF1312PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 210W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
95A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10 mOhm @ 57A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5450pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24900 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1312PBF
IRF1312PBF Elektronické komponenty
IRF1312PBF Odbyt
IRF1312PBF Dodavatel
IRF1312PBF Distributor
IRF1312PBF Datová tabulka
IRF1312PBF Fotky
IRF1312PBF Cena
IRF1312PBF Nabídka
IRF1312PBF Nejnižší cena
IRF1312PBF Vyhledávání
IRF1312PBF Nákup
IRF1312PBF Chip