IRF1310NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Číslo dílu
IRF1310NSTRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 160W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
36 mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42156 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1310NSTRLPBF
IRF1310NSTRLPBF Elektronické komponenty
IRF1310NSTRLPBF Odbyt
IRF1310NSTRLPBF Dodavatel
IRF1310NSTRLPBF Distributor
IRF1310NSTRLPBF Datová tabulka
IRF1310NSTRLPBF Fotky
IRF1310NSTRLPBF Cena
IRF1310NSTRLPBF Nabídka
IRF1310NSTRLPBF Nejnižší cena
IRF1310NSTRLPBF Vyhledávání
IRF1310NSTRLPBF Nákup
IRF1310NSTRLPBF Chip