Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF1310NSPBF
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Číslo dílu
IRF1310NSPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 160W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
36 mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26358 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1310NSPBF
IRF1310NSPBF Elektronické komponenty
IRF1310NSPBF Odbyt
IRF1310NSPBF Dodavatel
IRF1310NSPBF Distributor
IRF1310NSPBF Datová tabulka
IRF1310NSPBF Fotky
IRF1310NSPBF Cena
IRF1310NSPBF Nabídka
IRF1310NSPBF Nejnižší cena
IRF1310NSPBF Vyhledávání
IRF1310NSPBF Nákup
IRF1310NSPBF Chip