Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF1104PBF
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220AB
Číslo dílu
IRF1104PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
170W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
93nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23261 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1104PBF
IRF1104PBF Elektronické komponenty
IRF1104PBF Odbyt
IRF1104PBF Dodavatel
IRF1104PBF Distributor
IRF1104PBF Datová tabulka
IRF1104PBF Fotky
IRF1104PBF Cena
IRF1104PBF Nabídka
IRF1104PBF Nejnižší cena
IRF1104PBF Vyhledávání
IRF1104PBF Nákup
IRF1104PBF Chip