IRF1018ESTRLPBF
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Číslo dílu
IRF1018ESTRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
79A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2290pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40028 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1018ESTRLPBF
IRF1018ESTRLPBF Elektronické komponenty
IRF1018ESTRLPBF Odbyt
IRF1018ESTRLPBF Dodavatel
IRF1018ESTRLPBF Distributor
IRF1018ESTRLPBF Datová tabulka
IRF1018ESTRLPBF Fotky
IRF1018ESTRLPBF Cena
IRF1018ESTRLPBF Nabídka
IRF1018ESTRLPBF Nejnižší cena
IRF1018ESTRLPBF Vyhledávání
IRF1018ESTRLPBF Nákup
IRF1018ESTRLPBF Chip