Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF1018ESPBF
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Číslo dílu
IRF1018ESPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
79A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2290pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51410 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1018ESPBF
IRF1018ESPBF Elektronické komponenty
IRF1018ESPBF Odbyt
IRF1018ESPBF Dodavatel
IRF1018ESPBF Distributor
IRF1018ESPBF Datová tabulka
IRF1018ESPBF Fotky
IRF1018ESPBF Cena
IRF1018ESPBF Nabídka
IRF1018ESPBF Nejnižší cena
IRF1018ESPBF Vyhledávání
IRF1018ESPBF Nákup
IRF1018ESPBF Chip