Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF1018ESLPBF
MOSFET N-CH 60V 79A TO-262
Číslo dílu
IRF1018ESLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
79A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2290pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18210 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1018ESLPBF
IRF1018ESLPBF Elektronické komponenty
IRF1018ESLPBF Odbyt
IRF1018ESLPBF Dodavatel
IRF1018ESLPBF Distributor
IRF1018ESLPBF Datová tabulka
IRF1018ESLPBF Fotky
IRF1018ESLPBF Cena
IRF1018ESLPBF Nabídka
IRF1018ESLPBF Nejnižší cena
IRF1018ESLPBF Vyhledávání
IRF1018ESLPBF Nákup
IRF1018ESLPBF Chip