Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF1018EPBF
MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
Číslo dílu
IRF1018EPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
79A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2290pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39982 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1018EPBF
IRF1018EPBF Elektronické komponenty
IRF1018EPBF Odbyt
IRF1018EPBF Dodavatel
IRF1018EPBF Distributor
IRF1018EPBF Datová tabulka
IRF1018EPBF Fotky
IRF1018EPBF Cena
IRF1018EPBF Nabídka
IRF1018EPBF Nejnižší cena
IRF1018EPBF Vyhledávání
IRF1018EPBF Nákup
IRF1018EPBF Chip