IRF1010ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Číslo dílu
IRF1010ZSTRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2840pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31608 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1010ZSTRLPBF
IRF1010ZSTRLPBF Elektronické komponenty
IRF1010ZSTRLPBF Odbyt
IRF1010ZSTRLPBF Dodavatel
IRF1010ZSTRLPBF Distributor
IRF1010ZSTRLPBF Datová tabulka
IRF1010ZSTRLPBF Fotky
IRF1010ZSTRLPBF Cena
IRF1010ZSTRLPBF Nabídka
IRF1010ZSTRLPBF Nejnižší cena
IRF1010ZSTRLPBF Vyhledávání
IRF1010ZSTRLPBF Nákup
IRF1010ZSTRLPBF Chip