Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF1010ZPBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
Číslo dílu
IRF1010ZPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2840pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27651 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1010ZPBF
IRF1010ZPBF Elektronické komponenty
IRF1010ZPBF Odbyt
IRF1010ZPBF Dodavatel
IRF1010ZPBF Distributor
IRF1010ZPBF Datová tabulka
IRF1010ZPBF Fotky
IRF1010ZPBF Cena
IRF1010ZPBF Nabídka
IRF1010ZPBF Nejnižší cena
IRF1010ZPBF Vyhledávání
IRF1010ZPBF Nákup
IRF1010ZPBF Chip