Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF1010ZLPBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
Číslo dílu
IRF1010ZLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2840pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33723 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1010ZLPBF
IRF1010ZLPBF Elektronické komponenty
IRF1010ZLPBF Odbyt
IRF1010ZLPBF Dodavatel
IRF1010ZLPBF Distributor
IRF1010ZLPBF Datová tabulka
IRF1010ZLPBF Fotky
IRF1010ZLPBF Cena
IRF1010ZLPBF Nabídka
IRF1010ZLPBF Nejnižší cena
IRF1010ZLPBF Vyhledávání
IRF1010ZLPBF Nákup
IRF1010ZLPBF Chip