Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF1010NSTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Číslo dílu
IRF1010NSTRRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
180W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3210pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17725 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1010NSTRRPBF
IRF1010NSTRRPBF Elektronické komponenty
IRF1010NSTRRPBF Odbyt
IRF1010NSTRRPBF Dodavatel
IRF1010NSTRRPBF Distributor
IRF1010NSTRRPBF Datová tabulka
IRF1010NSTRRPBF Fotky
IRF1010NSTRRPBF Cena
IRF1010NSTRRPBF Nabídka
IRF1010NSTRRPBF Nejnižší cena
IRF1010NSTRRPBF Vyhledávání
IRF1010NSTRRPBF Nákup
IRF1010NSTRRPBF Chip