Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF1010NSTRR
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Číslo dílu
IRF1010NSTRR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
180W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3210pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31527 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1010NSTRR
IRF1010NSTRR Elektronické komponenty
IRF1010NSTRR Odbyt
IRF1010NSTRR Dodavatel
IRF1010NSTRR Distributor
IRF1010NSTRR Datová tabulka
IRF1010NSTRR Fotky
IRF1010NSTRR Cena
IRF1010NSTRR Nabídka
IRF1010NSTRR Nejnižší cena
IRF1010NSTRR Vyhledávání
IRF1010NSTRR Nákup
IRF1010NSTRR Chip