Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF1010NSTRL
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Číslo dílu
IRF1010NSTRL
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
180W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3210pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49673 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1010NSTRL
IRF1010NSTRL Elektronické komponenty
IRF1010NSTRL Odbyt
IRF1010NSTRL Dodavatel
IRF1010NSTRL Distributor
IRF1010NSTRL Datová tabulka
IRF1010NSTRL Fotky
IRF1010NSTRL Cena
IRF1010NSTRL Nabídka
IRF1010NSTRL Nejnižší cena
IRF1010NSTRL Vyhledávání
IRF1010NSTRL Nákup
IRF1010NSTRL Chip