Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF1010NSPBF
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Číslo dílu
IRF1010NSPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
180W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3210pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6306 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1010NSPBF
IRF1010NSPBF Elektronické komponenty
IRF1010NSPBF Odbyt
IRF1010NSPBF Dodavatel
IRF1010NSPBF Distributor
IRF1010NSPBF Datová tabulka
IRF1010NSPBF Fotky
IRF1010NSPBF Cena
IRF1010NSPBF Nabídka
IRF1010NSPBF Nejnižší cena
IRF1010NSPBF Vyhledávání
IRF1010NSPBF Nákup
IRF1010NSPBF Chip