Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF1010NPBF
MOSFET N-CH 55V 85A TO-220AB
Číslo dílu
IRF1010NPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
180W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3210pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25100 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1010NPBF
IRF1010NPBF Elektronické komponenty
IRF1010NPBF Odbyt
IRF1010NPBF Dodavatel
IRF1010NPBF Distributor
IRF1010NPBF Datová tabulka
IRF1010NPBF Fotky
IRF1010NPBF Cena
IRF1010NPBF Nabídka
IRF1010NPBF Nejnižší cena
IRF1010NPBF Vyhledávání
IRF1010NPBF Nákup
IRF1010NPBF Chip