Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF1010NLPBF
MOSFET N-CH 55V 85A TO-262
Číslo dílu
IRF1010NLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
180W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3210pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51357 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1010NLPBF
IRF1010NLPBF Elektronické komponenty
IRF1010NLPBF Odbyt
IRF1010NLPBF Dodavatel
IRF1010NLPBF Distributor
IRF1010NLPBF Datová tabulka
IRF1010NLPBF Fotky
IRF1010NLPBF Cena
IRF1010NLPBF Nabídka
IRF1010NLPBF Nejnižší cena
IRF1010NLPBF Vyhledávání
IRF1010NLPBF Nákup
IRF1010NLPBF Chip