Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF1010EZPBF
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
Číslo dílu
IRF1010EZPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.5 mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2810pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51125 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1010EZPBF
IRF1010EZPBF Elektronické komponenty
IRF1010EZPBF Odbyt
IRF1010EZPBF Dodavatel
IRF1010EZPBF Distributor
IRF1010EZPBF Datová tabulka
IRF1010EZPBF Fotky
IRF1010EZPBF Cena
IRF1010EZPBF Nabídka
IRF1010EZPBF Nejnižší cena
IRF1010EZPBF Vyhledávání
IRF1010EZPBF Nákup
IRF1010EZPBF Chip