Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF1010EZLPBF
MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
Číslo dílu
IRF1010EZLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.5 mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2810pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10327 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1010EZLPBF
IRF1010EZLPBF Elektronické komponenty
IRF1010EZLPBF Odbyt
IRF1010EZLPBF Dodavatel
IRF1010EZLPBF Distributor
IRF1010EZLPBF Datová tabulka
IRF1010EZLPBF Fotky
IRF1010EZLPBF Cena
IRF1010EZLPBF Nabídka
IRF1010EZLPBF Nejnižší cena
IRF1010EZLPBF Vyhledávání
IRF1010EZLPBF Nákup
IRF1010EZLPBF Chip