Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF1010ESTRR
MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Číslo dílu
IRF1010ESTRR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
84A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3210pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41940 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF1010ESTRR
IRF1010ESTRR Elektronické komponenty
IRF1010ESTRR Odbyt
IRF1010ESTRR Dodavatel
IRF1010ESTRR Distributor
IRF1010ESTRR Datová tabulka
IRF1010ESTRR Fotky
IRF1010ESTRR Cena
IRF1010ESTRR Nabídka
IRF1010ESTRR Nejnižší cena
IRF1010ESTRR Vyhledávání
IRF1010ESTRR Nákup
IRF1010ESTRR Chip