Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IR2011SPBF

IR2011SPBF

HI/LO SIDE DRVR 8SOIC
Číslo dílu
IR2011SPBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Typ vstupu
Inverting
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Zdroj napětí
10 V ~ 20 V
Typ kanálu
Independent
Řízená konfigurace
Half-Bridge
Počet řidičů
2
Typ brány
N-Channel MOSFET
Logické napětí - VIL, VIH
0.7V, 2.2V
Proud – špičkový výstup (zdroj, jímka)
1A, 1A
Vysoké boční napětí – Max (Bootstrap)
200V
Časy nahoru/dolů (Tip)
35ns, 20ns
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26492 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IR2011SPBF
IR2011SPBF Elektronické komponenty
IR2011SPBF Odbyt
IR2011SPBF Dodavatel
IR2011SPBF Distributor
IR2011SPBF Datová tabulka
IR2011SPBF Fotky
IR2011SPBF Cena
IR2011SPBF Nabídka
IR2011SPBF Nejnižší cena
IR2011SPBF Vyhledávání
IR2011SPBF Nákup
IR2011SPBF Chip