Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IR2011S
HI/LO SIDE DRVR 8SOIC
Číslo dílu
IR2011S
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Typ vstupu
Inverting
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Zdroj napětí
10 V ~ 20 V
Typ kanálu
Independent
Řízená konfigurace
Half-Bridge
Počet řidičů
2
Typ brány
N-Channel MOSFET
Logické napětí - VIL, VIH
0.7V, 2.2V
Proud – špičkový výstup (zdroj, jímka)
1A, 1A
Vysoké boční napětí – Max (Bootstrap)
200V
Časy nahoru/dolů (Tip)
35ns, 20ns
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43307 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IR2011S
IR2011S Elektronické komponenty
IR2011S Odbyt
IR2011S Dodavatel
IR2011S Distributor
IR2011S Datová tabulka
IR2011S Fotky
IR2011S Cena
IR2011S Nabídka
IR2011S Nejnižší cena
IR2011S Vyhledávání
IR2011S Nákup
IR2011S Chip