Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPW65R110CFDAFKSA1
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
Číslo dílu
IPW65R110CFDAFKSA1
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO247-3
Ztráta energie (max.)
277.8W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
118nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3240pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11009 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPW65R110CFDAFKSA1
IPW65R110CFDAFKSA1 Elektronické komponenty
IPW65R110CFDAFKSA1 Odbyt
IPW65R110CFDAFKSA1 Dodavatel
IPW65R110CFDAFKSA1 Distributor
IPW65R110CFDAFKSA1 Datová tabulka
IPW65R110CFDAFKSA1 Fotky
IPW65R110CFDAFKSA1 Cena
IPW65R110CFDAFKSA1 Nabídka
IPW65R110CFDAFKSA1 Nejnižší cena
IPW65R110CFDAFKSA1 Vyhledávání
IPW65R110CFDAFKSA1 Nákup
IPW65R110CFDAFKSA1 Chip