Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPW65R110CFD
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
Číslo dílu
IPW65R110CFD
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO247-3
Ztráta energie (max.)
277.8W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
118nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3240pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22643 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPW65R110CFD
IPW65R110CFD Elektronické komponenty
IPW65R110CFD Odbyt
IPW65R110CFD Dodavatel
IPW65R110CFD Distributor
IPW65R110CFD Datová tabulka
IPW65R110CFD Fotky
IPW65R110CFD Cena
IPW65R110CFD Nabídka
IPW65R110CFD Nejnižší cena
IPW65R110CFD Vyhledávání
IPW65R110CFD Nákup
IPW65R110CFD Chip