Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPU80R900P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
Číslo dílu
IPU80R900P7AKMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™ P7
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO251-3
Ztráta energie (max.)
45W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
900 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 110µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 500V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51995 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPU80R900P7AKMA1
IPU80R900P7AKMA1 Elektronické komponenty
IPU80R900P7AKMA1 Odbyt
IPU80R900P7AKMA1 Dodavatel
IPU80R900P7AKMA1 Distributor
IPU80R900P7AKMA1 Datová tabulka
IPU80R900P7AKMA1 Fotky
IPU80R900P7AKMA1 Cena
IPU80R900P7AKMA1 Nabídka
IPU80R900P7AKMA1 Nejnižší cena
IPU80R900P7AKMA1 Vyhledávání
IPU80R900P7AKMA1 Nákup
IPU80R900P7AKMA1 Chip