Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPT111N20NFDATMA1

IPT111N20NFDATMA1

MOSFET N-CH 200V 96A HSOF-8
Číslo dílu
IPT111N20NFDATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerSFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-HSOF-8
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
96A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11.1 mOhm @ 96A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 267µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7000pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45350 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IPT111N20NFDATMA1
IPT111N20NFDATMA1 Elektronické komponenty
IPT111N20NFDATMA1 Odbyt
IPT111N20NFDATMA1 Dodavatel
IPT111N20NFDATMA1 Distributor
IPT111N20NFDATMA1 Datová tabulka
IPT111N20NFDATMA1 Fotky
IPT111N20NFDATMA1 Cena
IPT111N20NFDATMA1 Nabídka
IPT111N20NFDATMA1 Nejnižší cena
IPT111N20NFDATMA1 Vyhledávání
IPT111N20NFDATMA1 Nákup
IPT111N20NFDATMA1 Chip