Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPT020N10N3ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Číslo dílu
IPT020N10N3ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerSFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-HSOF-8-1
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
300A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2 mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 272µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
156nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11200pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35106 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPT020N10N3ATMA1
IPT020N10N3ATMA1 Elektronické komponenty
IPT020N10N3ATMA1 Odbyt
IPT020N10N3ATMA1 Dodavatel
IPT020N10N3ATMA1 Distributor
IPT020N10N3ATMA1 Datová tabulka
IPT020N10N3ATMA1 Fotky
IPT020N10N3ATMA1 Cena
IPT020N10N3ATMA1 Nabídka
IPT020N10N3ATMA1 Nejnižší cena
IPT020N10N3ATMA1 Vyhledávání
IPT020N10N3ATMA1 Nákup
IPT020N10N3ATMA1 Chip