Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPT012N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Číslo dílu
IPT012N08N5ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerSFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-HSOF-8-1
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
300A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.2 mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 280µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
223nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
17000pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15237 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPT012N08N5ATMA1
IPT012N08N5ATMA1 Elektronické komponenty
IPT012N08N5ATMA1 Odbyt
IPT012N08N5ATMA1 Dodavatel
IPT012N08N5ATMA1 Distributor
IPT012N08N5ATMA1 Datová tabulka
IPT012N08N5ATMA1 Fotky
IPT012N08N5ATMA1 Cena
IPT012N08N5ATMA1 Nabídka
IPT012N08N5ATMA1 Nejnižší cena
IPT012N08N5ATMA1 Vyhledávání
IPT012N08N5ATMA1 Nákup
IPT012N08N5ATMA1 Chip