Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPSA70R950CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3
Číslo dílu
IPSA70R950CEAKMA1
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO251-3
Ztráta energie (max.)
94W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
700V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
950 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
328pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19071 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPSA70R950CEAKMA1
IPSA70R950CEAKMA1 Elektronické komponenty
IPSA70R950CEAKMA1 Odbyt
IPSA70R950CEAKMA1 Dodavatel
IPSA70R950CEAKMA1 Distributor
IPSA70R950CEAKMA1 Datová tabulka
IPSA70R950CEAKMA1 Fotky
IPSA70R950CEAKMA1 Cena
IPSA70R950CEAKMA1 Nabídka
IPSA70R950CEAKMA1 Nejnižší cena
IPSA70R950CEAKMA1 Vyhledávání
IPSA70R950CEAKMA1 Nákup
IPSA70R950CEAKMA1 Chip